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GTVA261701FAV1R2XTMA1
- Modello di prodotti:
- GTVA261701FAV1R2XTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- GAN SIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16157 Pieces
- Scheda dati:
- GTVA261701FAV1R2XTMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Serie: | * |
|---|---|
| Altri nomi: | SP001395124 |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | GTVA261701FAV1R2XTMA1 |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet |
| Descrizione: | GAN SIC |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per GTVA261701FAV1R2XTMA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
GTVA261701FAV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | GAN SIC | Inchiesta |
 |
BLC9G20XS-400AVTZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16.2DB SOT12587 | Inchiesta |
 |
2SK209-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | JFET N-CH SOT23 | Inchiesta |
 |
BLF6G38-50,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502A | Inchiesta |
 |
PTFA082201EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 894MHZ H-36260-2 | Inchiesta |
 |
MRF9085LR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 880MHZ NI-780 | Inchiesta |
 |
MRFE6VP61K25GNR6 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 1250W 50V | Inchiesta |
|
GTVA220701FAV1R2XTMA1 | Infineon Technologies | GAN SIC | Inchiesta |
 |
BLF6G21-10G,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A | Inchiesta |
|
PTFB091507FHV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-34288-4 | Inchiesta |
 |
BLF7G22LS-130,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | Inchiesta |
 |
MRF9135LSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 880MHZ NI-780S | Inchiesta |
 |
BF244B_J35Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 50MA TO92 | Inchiesta |
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