HAT2116H-EL-E
HAT2116H-EL-E
Modello di prodotti:
HAT2116H-EL-E
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13619 Pieces
Scheda dati:
HAT2116H-EL-E.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:LFPAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:8.2 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max):15W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-100, SOT-669
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:HAT2116H-EL-E
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1650pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 30A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount LFPAK
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Ta)
Email:[email protected]

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