HBDM60V600W-7
HBDM60V600W-7
Modello di prodotti:
HBDM60V600W-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18456 Pieces
Scheda dati:
HBDM60V600W-7.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):65V, 60V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Tipo transistor:NPN, PNP
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-363
Serie:-
Potenza - Max:200mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:HBDM60V600W7
HBDM60V600WDITR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:HBDM60V600W-7
Frequenza - transizione:100MHz
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
Descrizione:TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA, 600mA
Email:[email protected]

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