HN1A01FU-GR,LF
HN1A01FU-GR,LF
Modello di prodotti:
HN1A01FU-GR,LF
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12483 Pieces
Scheda dati:
HN1A01FU-GR,LF.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor:2 PNP (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:US6
Serie:-
Potenza - Max:200mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:HN1A01FU-GRLFCT
HN1A01FUGRLFTCT
HN1A01FUGRLFTCT-ND
temperatura di esercizio:125°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:HN1A01FU-GR,LF
Frequenza - transizione:80MHz
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
Descrizione:TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:200 @ 2mA, 6V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):150mA
Email:[email protected]

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