HN2C01FEYTE85LF
HN2C01FEYTE85LF
Modello di prodotti:
HN2C01FEYTE85LF
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19810 Pieces
Scheda dati:
HN2C01FEYTE85LF.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor:2 NPN (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:ES6
Serie:-
Potenza - Max:100mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:HN2C01FEYTE85LFCT
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:HN2C01FEYTE85LF
Frequenza - transizione:60MHz
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 60MHz 100mW Surface Mount ES6
Descrizione:TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:120 @ 2mA, 6V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):150mA
Email:[email protected]

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