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HN3C51F-GR(TE85L,F
- Modello di prodotti:
- HN3C51F-GR(TE85L,F
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18199 Pieces
- Scheda dati:
- HN3C51F-GR(TE85L,F.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 120V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Tipo transistor: | 2 NPN (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SM6 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 300mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-74, SOT-457 |
| Altri nomi: | HN3C51F-GR(TE85L,F) HN3C51F-GR(TE85LF)TR HN3C51F-GR(TE85LF)TR-ND HN3C51F-GR(TE85LFTR HN3C51F-GRTE85LF HN3C51FGR(TE85LFTR HN3C51FGR(TE85LFTR-ND |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | HN3C51F-GR(TE85L,F |
| Frequenza - transizione: | 100MHz |
| Descrizione espansione: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6 |
| Descrizione: | TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 200 @ 2mA, 6V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per HN3C51F-GR(TE85L,F
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
PBSS4350SSJ | Nexperia USA Inc. | TRANS 2NPN 50V 2.7A 8SOIC | Inchiesta |
 |
DMMT5401-7-F | Diodes Incorporated | TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT26 | Inchiesta |
 |
HN1B01FU-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN | Inchiesta |
 |
HN3C51F-BL(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6 | Inchiesta |
 |
MAT03EHZ | Analog Devices Inc. | TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6 | Inchiesta |
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