HN4A06J(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - Transistor-bipolare (BJT)-matrici HN4A06J(TE85L,F)

HN4A06J(TE85L,F)

Modello di prodotti:: HN4A06J(TE85L,F)

fabbricante:: Toshiba Semiconductor

Descrizione:: TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV

Stato Lead senza piombo / RoHS:: Senza piombo / RoHS conforme

quantità disponibile:: 14441 Pieces

Scheda dati:: HN4A06J(TE85L,F).pdf

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):	120V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:	300mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor:	2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Contenitore dispositivo fornitore:	SMV
Serie:	-
Potenza - Max:	300mW
imballaggio:	Original-Reel®
Contenitore / involucro:	SC-74A, SOT-753
Altri nomi:	HN4A06J(TE85LF)DKR
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
Tipo montaggio:	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):	1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:	HN4A06J(TE85L,F)
Frequenza - transizione:	100MHz
Descrizione espansione:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
Descrizione:	TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:	200 @ 2mA, 6V
Corrente - Cutoff collettore (max):	100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):	100mA
Email:	[email protected]

Parti relative per HN4A06J(TE85L,F)

Immagine	Modello di prodotti	Produttori	Descrizione	vista
	BC856S,125	Nexperia USA Inc.	TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSSOP	Inchiesta
	HN2A01FE-GR(TE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6	Inchiesta

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