HUF76419S3ST
HUF76419S3ST
Modello di prodotti:
HUF76419S3ST
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15506 Pieces
Scheda dati:
HUF76419S3ST.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D²PAK (TO-263AB)
Serie:UltraFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:35 mOhm @ 29A, 10V
Dissipazione di potenza (max):75W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:HUF76419S3ST
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:900pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 29A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:29A (Tc)
Email:[email protected]

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