HUFA75309T3ST
Modello di prodotti:
HUFA75309T3ST
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18362 Pieces
Scheda dati:
1.HUFA75309T3ST.pdf2.HUFA75309T3ST.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-223-4
Serie:UltraFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:70 mOhm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.1W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:HUFA75309T3ST
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:352pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 55V 3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione:MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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