Acquistare IDH08G65C5XKSA1 con BYCHPS
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Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.7V @ 8A |
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Tensione - inversa (Vr) (max): | 650V |
Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO220-2 |
Velocità: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie: | thinQ!™ |
Tempo di ripristino inverso (trr): | 0ns |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-220-2 |
Altri nomi: | IDH08G65C5 IDH08G65C5-ND SP000925204 |
Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 175°C |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | IDH08G65C5XKSA1 |
Descrizione espansione: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
Tipo diodo: | Silicon Carbide Schottky |
Descrizione: | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2 |
Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 280µA @ 650V |
Corrente - raddrizzata media (Io): | 8A (DC) |
Capacità a Vr, F: | 250pF @ 1V, 1MHz |
Email: | [email protected] |