IMH23T110
IMH23T110
Modello di prodotti:
IMH23T110
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19942 Pieces
Scheda dati:
IMH23T110.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):20V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:150mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:SMT6
Serie:-
Resistenza - emettitore di base (R2) (ohm):-
Resistenza - Base (R1) (ohm):4.7k
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-74, SOT-457
Altri nomi:IMH23T110-ND
IMH23T110TR
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:IMH23T110
Frequenza - transizione:150MHz
Descrizione espansione:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 20V 600mA 150MHz 300mW Surface Mount SMT6
Descrizione:TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:820 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):-
Corrente - collettore (Ic) (max):600mA
Email:[email protected]

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