IPAN60R800CEXKSA1
IPAN60R800CEXKSA1
Modello di prodotti:
IPAN60R800CEXKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13093 Pieces
Scheda dati:
IPAN60R800CEXKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 170µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO220 Full Pack
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:800 mOhm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):27W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
Altri nomi:SP001508822
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:IPAN60R800CEXKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:373pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:Super Junction
Descrizione espansione:N-Channel 600V 8.4A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8.4A (Tc)
Email:[email protected]

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