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IPAW60R180P7SXKSA1
- Modello di prodotti:
- IPAW60R180P7SXKSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 18A TO220
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19744 Pieces
- Scheda dati:
- IPAW60R180P7SXKSA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 280µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO220 Full Pack |
| Serie: | CoolMOS™ P7 |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 180 mOhm @ 5.6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 26W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi: | SP001606072 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPAW60R180P7SXKSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1081pF @ 400V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPAW60R180P7SXKSA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IPAW60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO220 | Inchiesta |
 |
IPAW60R600CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Inchiesta |
 |
IRFS4228PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK | Inchiesta |
 |
SI2309DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3 | Inchiesta |
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IRFR9020PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK | Inchiesta |
 |
MTP2P50E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 500V 2A TO-220AB | Inchiesta |
|
IPAW60R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Inchiesta |
|
IPAW60R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Inchiesta |
 |
IXTY01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | Inchiesta |
|
IPAW60R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Inchiesta |
|
IXTP32N65X | IXYS | MOSFET N-CH 650V 32A TO-220 | Inchiesta |
|
MMIX1T600N04T2 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 600A SMPD | Inchiesta |
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EKI04027 | Sanken | MOSFET N-CH 40V 85A TO-220 | Inchiesta |
|
IPB14N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK | Inchiesta |
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