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IPB027N10N5ATMA1
- Modello di prodotti:
- IPB027N10N5ATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16811 Pieces
- Scheda dati:
- 1.IPB027N10N5ATMA1.pdf2.IPB027N10N5ATMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.8V @ 184µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.7 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 250W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | IPB027N10N5ATMA1DKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPB027N10N5ATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 10300pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 139nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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