IPB03N03LB G
IPB03N03LB G
Modello di prodotti:
IPB03N03LB G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
20796 Pieces
Scheda dati:
IPB03N03LB G.pdf

introduzione

BYCHIPS è il distributore di calze per IPB03N03LB G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPB03N03LB G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Acquistare IPB03N03LB G con BYCHPS
Acquista con garanzia

Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:2.8 mOhm @ 55A, 10V
Dissipazione di potenza (max):150W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:IPB03N03LBGINDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPB03N03LB G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7624pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:59nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti