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IPB04N03LB G
- Modello di prodotti:
- IPB04N03LB G
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12540 Pieces
- Scheda dati:
- IPB04N03LB G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IPB04N03LB G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPB04N03LB G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 70µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 3.5 mOhm @ 55A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 107W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | IPB04N03LBGXT SP000103301 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPB04N03LB G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5203pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 80A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPB04N03LB G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB04N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | Inchiesta |
|
IPB04N03LB | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | Inchiesta |
|
IPB049N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V TO263-3 | Inchiesta |
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IPB044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | Inchiesta |
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IPB048N06LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | Inchiesta |
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IPB042N10N3GE8187ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | Inchiesta |
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IPB049N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | Inchiesta |
|
IPB04N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A TO-263 | Inchiesta |
|
IPB042N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | Inchiesta |
|
IPB04N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | Inchiesta |
|
IPB049NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 | Inchiesta |
|
IPB041N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | Inchiesta |
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