IPB065N03L G
IPB065N03L G
Modello di prodotti:
IPB065N03L G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19702 Pieces
Scheda dati:
IPB065N03L G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-2
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:6.5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):56W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:IPB065N03LG
IPB065N03LGATMA1
IPB065N03LGINTR
IPB065N03LGXT
SP000254709
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IPB065N03L G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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