IPB100N06S3-04
IPB100N06S3-04
Modello di prodotti:
IPB100N06S3-04
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18286 Pieces
Scheda dati:
IPB100N06S3-04.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 150µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3-2
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:4.1 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):214W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:IPB100N06S3-04-ND
IPB100N06S3-04INTR
IPB100N06S304XT
SP000102220
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPB100N06S3-04
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:14230pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:314nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 55V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione:MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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