IPB120N04S402ATMA1
IPB120N04S402ATMA1
Modello di prodotti:
IPB120N04S402ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15939 Pieces
Scheda dati:
IPB120N04S402ATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 110µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:1.8 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max):158W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:IPB120N04S402ATMA1DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:IPB120N04S402ATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:10740pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:134nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 120A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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