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IPB47N10SL-26
- Modello di prodotti:
- IPB47N10SL-26
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19407 Pieces
- Scheda dati:
- IPB47N10SL-26.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 2mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-3-2 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 26 mOhm @ 33A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 175W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | IPB47N10SL-26DKR IPB47N10SL-26DKR-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPB47N10SL-26 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2500pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 135nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 47A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 47A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPB47N10SL-26
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB47N10S33ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | Inchiesta |
 |
BSS119L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | Inchiesta |
 |
FQA6N90_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P | Inchiesta |
|
IPB47N10S-33 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | Inchiesta |
|
IPB47N10SL26ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | Inchiesta |
 |
3LN01C-TB-H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP | Inchiesta |
 |
DMG4468LFG | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN | Inchiesta |
 |
FQNL2N50BTA | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3 | Inchiesta |
 |
IXFX12N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247 | Inchiesta |
 |
IXFB90N85X | IXYS | 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P | Inchiesta |
 |
TP0606N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 | Inchiesta |
|
STB75NF20 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK | Inchiesta |
 |
SCH1337-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2A SOT563 | Inchiesta |
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