IPB65R110CFD
IPB65R110CFD
Modello di prodotti:
IPB65R110CFD
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12407 Pieces
Scheda dati:
IPB65R110CFD.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 1.3mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:110 mOhm @ 12.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):277.8W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:IPB65R110CFD-ND
IPB65R110CFDATMA1
SP000896400
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:IPB65R110CFD
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3240pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:118nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount PG-TO263
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:31.2A (Tc)
Email:[email protected]

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