IPB80P04P407ATMA1
IPB80P04P407ATMA1
Modello di prodotti:
IPB80P04P407ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET P-CH TO263-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12185 Pieces
Scheda dati:
IPB80P04P407ATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 150µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3-2
Serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:7.4 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):88W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:SP000842038
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:IPB80P04P407ATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6085pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:89nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 40V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET P-CH TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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