IPC100N04S51R2ATMA1
IPC100N04S51R2ATMA1
Modello di prodotti:
IPC100N04S51R2ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13880 Pieces
Scheda dati:
IPC100N04S51R2ATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 90µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TDSON-8-34
Serie:OptiMOS™, Automotive, AEC-Q101
Rds On (max) a Id, Vgs:1.2 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):150W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:IPC100N04S51R2ATMA1TR
SP001262620
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:IPC100N04S51R2ATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7650pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:131nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 100A 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):7V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A
Email:[email protected]

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