IPC60N04S4L06ATMA1
Modello di prodotti:
IPC60N04S4L06ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 8TDSON
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18190 Pieces
Scheda dati:
IPC60N04S4L06ATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 30µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TDSON-8-23
Serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:5.6 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):63W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:SP001161210
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPC60N04S4L06ATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 60A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-23
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET N-CH 8TDSON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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