Acquistare IPD053N08N3GBTMA1 con BYCHPS
Acquista con garanzia
IPD053N08N3GBTMA1
- Modello di prodotti:
- IPD053N08N3GBTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17506 Pieces
- Scheda dati:
- IPD053N08N3GBTMA1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IPD053N08N3GBTMA1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPD053N08N3GBTMA1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 90µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5.3 mOhm @ 90A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 150W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | IPD053N08N3 G IPD053N08N3 G-ND IPD053N08N3 GTR-ND IPD053N08N3G SP000395183 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPD053N08N3GBTMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4750pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 69nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 80V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 80V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 90A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPD053N08N3GBTMA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | Inchiesta |
 |
IRFRC20TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | Inchiesta |
 |
TK11A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS | Inchiesta |
|
IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | Inchiesta |
 |
SUM70N03-09CP-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK | Inchiesta |
|
IPD053N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | Inchiesta |
|
IPD05N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | Inchiesta |
|
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3 | Inchiesta |
|
IPD05N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A DPAK | Inchiesta |
 |
DMP2007UFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8 | Inchiesta |
|
IRL3705ZSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | Inchiesta |
 |
IPD050N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers