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IPD082N10N3GBTMA1
- Modello di prodotti:
- IPD082N10N3GBTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19135 Pieces
- Scheda dati:
- IPD082N10N3GBTMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 75µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8.2 mOhm @ 73A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 125W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | IPD082N10N3 G IPD082N10N3 G-ND SP000485986 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPD082N10N3GBTMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3980pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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