Acquistare IPD135N03LGXT con BYCHPS
Acquista con garanzia
IPD135N03LGXT
- Modello di prodotti:
- IPD135N03LGXT
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15519 Pieces
- Scheda dati:
- IPD135N03LGXT.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IPD135N03LGXT, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPD135N03LGXT via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 13.5 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 31W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | IPD135N03LG IPD135N03LGINTR IPD135N03LGINTR-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPD135N03LGXT |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1000pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPD135N03LGXT
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD135N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 45A | Inchiesta |
 |
IRFR320TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK | Inchiesta |
|
IPD135N08N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3 | Inchiesta |
 |
IPD135N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | LV POWER MOS | Inchiesta |
 |
IXFR55N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247 | Inchiesta |
|
IPD135N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | Inchiesta |
 |
DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC | Inchiesta |
 |
AON6404A_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 25A DFN5X6 | Inchiesta |
|
IPD13N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK | Inchiesta |
 |
DMTH4005SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers