IPD22N08S2L50ATMA1
IPD22N08S2L50ATMA1
Modello di prodotti:
IPD22N08S2L50ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12561 Pieces
Scheda dati:
IPD22N08S2L50ATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 31µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO252-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:50 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):75W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:IPD22N08S2L-50
IPD22N08S2L-50-ND
SP000252163
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
codice articolo del costruttore:IPD22N08S2L50ATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:630pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 75V 27A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Tensione drain-source (Vdss):75V
Descrizione:MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:27A (Tc)
Email:[email protected]

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