Acquistare IPD25CN10NGBUMA1 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 39µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
Serie: | OptiMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 25 mOhm @ 35A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 71W (Tc) |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Altri nomi: | IPD25CN10N G IPD25CN10N G-ND IPD25CN10N GTR-ND IPD25CN10NG SP000096456 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
codice articolo del costruttore: | IPD25CN10NGBUMA1 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2070pF @ 50V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 100V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
Email: | [email protected] |