IPD350N06LGBTMA1
IPD350N06LGBTMA1
Modello di prodotti:
IPD350N06LGBTMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14565 Pieces
Scheda dati:
IPD350N06LGBTMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 28µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO252-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:35 mOhm @ 29A, 10V
Dissipazione di potenza (max):68W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:IPD350N06L G
IPD350N06L G-ND
IPD350N06LG
IPD350N06LGXT
SP000204197
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:IPD350N06LGBTMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 29A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:29A (Tc)
Email:[email protected]

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