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IPD50N10S3L16ATMA1
- Modello di prodotti:
- IPD50N10S3L16ATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13313 Pieces
- Scheda dati:
- IPD50N10S3L16ATMA1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IPD50N10S3L16ATMA1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPD50N10S3L16ATMA1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.4V @ 60µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 15 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 100W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | IPD50N10S3L-16 IPD50N10S3L-16-ND IPD50N10S3L-16TR IPD50N10S3L-16TR-ND IPD50N10S3L16 SP000386185 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPD50N10S3L16ATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4180pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 64nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 50A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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