IPD60R380E6BTMA1
IPD60R380E6BTMA1
Modello di prodotti:
IPD60R380E6BTMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Non applicabile / Non applicabile
quantità disponibile:
13650 Pieces
Scheda dati:
IPD60R380E6BTMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 300µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO252-3
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:380 mOhm @ 3.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max):83W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
codice articolo del costruttore:IPD60R380E6BTMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:Super Junction
Descrizione espansione:N-Channel 600V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10.6A (Tc)
Email:[email protected]

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