Acquistare IPD60R600C6BTMA1 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 200µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
Serie: | CoolMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 63W (Tc) |
imballaggio: | Original-Reel® |
Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Altri nomi: | IPD60R600C6BTMA1DKR IPD60R600C6INDKR IPD60R600C6INDKR-ND |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | IPD60R600C6BTMA1 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 100V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20.5nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 600V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |