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IPD65R600C6
- Modello di prodotti:
- IPD65R600C6
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15310 Pieces
- Scheda dati:
- IPD65R600C6.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 210µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 600 mOhm @ 2.1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 63W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | IPD65R600C6DKR IPD65R600C6DKR-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPD65R600C6 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPD65R600C6
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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IPD65R600C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252 | Inchiesta |
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