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IPD80R1K4CEBTMA1
- Modello di prodotti:
- IPD80R1K4CEBTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14604 Pieces
- Scheda dati:
- IPD80R1K4CEBTMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.9V @ 240µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-252-3 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 2.3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 63W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | IPD80R1K4CEBTMA1TR SP001100604 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPD80R1K4CEBTMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 570pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 800V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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