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IPG20N06S2L35AATMA1
- Modello di prodotti:
- IPG20N06S2L35AATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 8TDSON
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18868 Pieces
- Scheda dati:
- IPG20N06S2L35AATMA1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IPG20N06S2L35AATMA1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPG20N06S2L35AATMA1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 27µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TDSON-8-10 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 35 mOhm @ 15A, 10V |
| Potenza - Max: | 65W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi: | IPG20N06S2L35AATMA1-ND IPG20N06S2L35AATMA1TR SP001023838 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPG20N06S2L35AATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 790pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 2A (Tc) 65W Surface Mount PG-TDSON-8-10 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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