IPI029N06NAKSA1
IPI029N06NAKSA1
Modello di prodotti:
IPI029N06NAKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13982 Pieces
Scheda dati:
IPI029N06NAKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.8V @ 75µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO262-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:2.9 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3W (Ta), 136W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi:IPI029N06N
IPI029N06N-ND
SP000962134
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:IPI029N06NAKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4100pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 24A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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