IPI037N06L3GHKSA1
IPI037N06L3GHKSA1
Modello di prodotti:
IPI037N06L3GHKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18261 Pieces
Scheda dati:
IPI037N06L3GHKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 93µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO262-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:3.7 mOhm @ 90A, 10V
Dissipazione di potenza (max):167W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi:IPI037N06L3 G
IPI037N06L3 G-ND
SP000397910
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPI037N06L3GHKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:13000pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:79nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 90A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

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