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IPI076N12N3GAKSA1
- Modello di prodotti:
- IPI076N12N3GAKSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18017 Pieces
- Scheda dati:
- IPI076N12N3GAKSA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 130µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO262-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 7.6 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 188W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi: | IPI076N12N3 G IPI076N12N3 G-ND IPI076N12N3G SP000652738 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPI076N12N3GAKSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 6640pF @ 60V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 101nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 120V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 120V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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