Acquistare IPI70N10S3L12AKSA1 con BYCHPS
Acquista con garanzia
IPI70N10S3L12AKSA1
- Modello di prodotti:
- IPI70N10S3L12AKSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14997 Pieces
- Scheda dati:
- IPI70N10S3L12AKSA1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IPI70N10S3L12AKSA1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IPI70N10S3L12AKSA1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.4V @ 83µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO262-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 12.1 mOhm @ 70A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 125W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi: | IPI70N10S3L-12 IPI70N10S3L-12-ND SP000427250 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 26 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPI70N10S3L12AKSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5550pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPI70N10S3L12AKSA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IPI70N10S312AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 | Inchiesta |
|
IPI70N10SL16AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 | Inchiesta |
 |
IPI70N12S311AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | Inchiesta |
|
IPI70N04S307AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | Inchiesta |
 |
FDMS7660 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 25A POWER56 | Inchiesta |
|
IPI70N12S3L12AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | Inchiesta |
 |
IXFP3N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220 | Inchiesta |
|
IPI70R950CEXKSA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | Inchiesta |
|
AUIRFSL8403 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 123A TO262 | Inchiesta |
|
IPI70N04S406AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1 | Inchiesta |
 |
IRF7834 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
BVSS138LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3 | Inchiesta |
|
IPI70P04P409AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO262-3 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers