IPL60R199CP
IPL60R199CP
Modello di prodotti:
IPL60R199CP
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12338 Pieces
Scheda dati:
IPL60R199CP.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 660µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-VSON-4
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:199 mOhm @ 9.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):139W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:4-PowerTSFN
Altri nomi:IPL60R199CP-ND
IPL60R199CPAUMA1
SP000841892
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IPL60R199CP
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1520pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 16.4A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:16.4A (Tc)
Email:[email protected]

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