IPP037N08N3GE8181XKSA1
IPP037N08N3GE8181XKSA1
Modello di prodotti:
IPP037N08N3GE8181XKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19824 Pieces
Scheda dati:
IPP037N08N3GE8181XKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 155µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO-220-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:3.75 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max):214W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:IPP037N08N3 G E8181
IPP037N08N3 G E8181-ND
SP000765976
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPP037N08N3GE8181XKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:8110pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:117nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione:MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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