Acquistare IPP100N04S303AKSA1 con BYCHPS
Acquista con garanzia
Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 150µA |
---|---|
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO220-3-1 |
Serie: | OptiMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.8 mOhm @ 80A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 214W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
Altri nomi: | IPP100N04S3-03 IPP100N04S3-03-ND IPP100N04S303 SP000261227 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | IPP100N04S303AKSA1 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 9600pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 145nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 40V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Tensione drain-source (Vdss): | 40V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |