Acquistare IPP12CNE8N G con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 83µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO-220-3 |
Serie: | OptiMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 12.9 mOhm @ 67A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 125W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
Altri nomi: | IPP12CNE8NGX IPP12CNE8NGXK SP000096467 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
codice articolo del costruttore: | IPP12CNE8N G |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4340pF @ 40V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 64nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 85V 67A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
Tensione drain-source (Vdss): | 85V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 85V 67A TO-220 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 67A (Tc) |
Email: | [email protected] |