IPP80CN10NGHKSA1
IPP80CN10NGHKSA1
Modello di prodotti:
IPP80CN10NGHKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 13A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14857 Pieces
Scheda dati:
IPP80CN10NGHKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 12µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO-220-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:80 mOhm @ 13A, 10V
Dissipazione di potenza (max):31W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:IPP80CN10N G
IPP80CN10N G-ND
IPP80CN10NGX
IPP80CN10NGXK
SP000096475
SP000680966
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPP80CN10NGHKSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:716pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 13A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 13A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13A (Tc)
Email:[email protected]

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