Acquistare IPS70R600CEAKMA1 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 0.21mA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO251-3 |
Serie: | CoolMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 600 mOhm @ 1A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 86W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Altri nomi: | SP001407894 |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | IPS70R600CEAKMA1 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 474pF @ 100V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | Super Junction |
Descrizione espansione: | N-Channel 700V 10.5A (Tc) 86W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
Tensione drain-source (Vdss): | 700V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 700V 10.5A TO-251 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |