IPT020N10N3ATMA1
IPT020N10N3ATMA1
Modello di prodotti:
IPT020N10N3ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12396 Pieces
Scheda dati:
IPT020N10N3ATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 272µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-HSOF-8-1
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:2 mOhm @ 150A, 10V
Dissipazione di potenza (max):375W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerSFN
Altri nomi:IPT020N10N3
IPT020N10N3ATMA1TR
SP001100160
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:IPT020N10N3ATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:11200pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:156nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:300A (Tc)
Email:[email protected]

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