IPU103N08N3 G
IPU103N08N3 G
Modello di prodotti:
IPU103N08N3 G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13605 Pieces
Scheda dati:
IPU103N08N3 G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 46µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO251-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:10.3 mOhm @ 46A, 10V
Dissipazione di potenza (max):100W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi:SP000521640
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPU103N08N3 G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2410pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 80V 50A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione:MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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