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IPZ60R041P6FKSA1
- Modello di prodotti:
- IPZ60R041P6FKSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V TO247-4
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12986 Pieces
- Scheda dati:
- IPZ60R041P6FKSA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 2.96mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO247-4 |
| Serie: | CoolMOS™ P6 |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 41 mOhm @ 35.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 481W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-4 |
| Altri nomi: | SP001313878 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPZ60R041P6FKSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 8180pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 170nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 77.5A (Tc) 481W (Tc) Through Hole PG-TO247-4 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V TO247-4 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 77.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPZ60R041P6FKSA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
FQAF12N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7.8A TO-3PF | Inchiesta |
 |
APTM20DAM04G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 372A SP6 | Inchiesta |
 |
IPZ60R070P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | Inchiesta |
 |
IPP09N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB | Inchiesta |
 |
IPZ60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4 | Inchiesta |
|
IPZ60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4 | Inchiesta |
 |
SI7898DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8 | Inchiesta |
|
IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4 | Inchiesta |
|
IPZ60R125P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | Inchiesta |
|
IPZ60R099P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | Inchiesta |
|
IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 | Inchiesta |
|
IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | Inchiesta |
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