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IRD3CH101DB6
- Modello di prodotti:
- IRD3CH101DB6
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13497 Pieces
- Scheda dati:
- IRD3CH101DB6.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 2.7V @ 200A |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 1200V (1.2kV) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Die |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 360ns |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Die |
| Altri nomi: | SP001535420 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -40°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRD3CH101DB6 |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 200A Surface Mount Die |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 3.6µA @ 1200V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 200A |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IRD3CH101DB6
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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IRD3CH101DD6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Inchiesta |
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IRD3CH11DD6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Inchiesta |
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IRD3CH53DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Inchiesta |
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IRD3CH16DD6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Inchiesta |
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IRD3CH11DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Inchiesta |
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IRD3CH5DB6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DIE | Inchiesta |
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IRD3CH16DB6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Inchiesta |
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IRD3CH16DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Inchiesta |
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IRD3CH31DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Inchiesta |
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IRD3CH101DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Inchiesta |
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IRD3CH11DB6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE | Inchiesta |
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IRD3CH24DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | Inchiesta |
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